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LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究

文档作者: 马书娜 王少荣 张爱军        文档来源: 华润上华科技有限公司
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更新时间: 2016年01月27日
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安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流.栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效应的发生,造成其衬底电流峰值不明显。此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱。单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适。针对发生严重 rk效应的LDMOS,此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法,该方法既能节省测试时间,同时准确性又高。

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