三、设备人员单位简介及安全概述
        半导体厂设备单位一般包括Diff、Thin-film、CMP、Vacuum、Dry Etch、
        Wet Etch、Photo，各单位之主要性质介绍如下：
        （一）Diff 扩散设备单位（包括KE、TEL、DNS、Applied 等）
        主要用到有毒、无毒之Process Gas、water、高电压、高电流、废气，Clean
        机台则使用强酸碱化学液、而有废酸液之生成。
        （二）Thin-film 薄膜设备单位（包括Applied、Novellus 等）
        主要用到有毒、无毒之Process Gas、water、高电压、高电流、高频、废
        气。
        （三）CMP 研磨设备单位（包括Applied、DNS 等）
        主要用到强碱slurry 化学液、water、而有废碱液之生成。
        （四）Vacuum 真空设备单位（包括Applied、AG、Varian 等）
        主要用到有毒、无毒之Process Gas、water、高电压、高电流、高频、废
        气；喷砂机台作为维修之用。
        （五）Etch 干蚀刻设备单位（包括Lam、TEL、Applied、PSC、Mattson 机台）
        干蚀刻机台之制程主要用到有毒特殊气体(Cl2,Hbr,氟化物…)、无毒之气体
        (N2,Ar….)、water(冷却循环水,去离子水….)、高电压、高频、高电流在真
        空中反应，且在生产过程会有废气、辐射、废水之生成物。
        （六）Etch 湿蚀刻设备单位（包括Kaijo 机台）
        湿蚀刻机台之制程主要用化学药品，如强酸
        ( HF ,BOE ,H3PO4 ,H2SO4 ,HNO3…)，强碱(ACT-690…)及DIW ,Cooling
        water 等，在生产过程中会有废酸液、废水及反应生成物之产生。
        （七）Photo 黄光设备单位（包括ASM stepper、TEL track、AGV 及其他相关量
        测或检视机台）
        主要用到紫外线光源HMDS、thinner、光阻等有机溶剂，且有高电流、高
        电压、紫外线之应用，生产过程会有废气、废液之生成。
        综合一般无尘室内常见之工业安全伤害，可分为化学性、物理性之伤害，
        而伤害也分布身体之各部位。以下就将各单位较易发生及机台维修之安全事项说
        明如下：
        (一)Diff 扩散设备单位
        1、Furnace tools and CVD tools
        （1）机械方面：robot 之夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄、plasma 辐射伤害、gate
        door 之夹伤，高温烫伤。
        （2）电力方面：高压电流触及。
        （3）维修方面：身体之撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 之割伤。
        （4）保养方面：高温炉管之烫伤、parts 之割伤、化学溶剂吸入性及喷溅之伤害。
        2、Wet bench 安全注意事项
        （1）机械方面：robot 之夹伤、撞伤、挫伤。
        （2）化学药剂方面：强酸／强碱之灼烫伤、化学品之触及、 吸入性伤害。
        （3）电力方面：漏电触及。
        （4）维修方面：撞伤、wafer 割伤、强酸／强碱之波及。
        3、Inter-bay transfer system
        （1）机械方面：R/M 之夹伤、撞伤、挫伤。
        （2）维修方面：高架作业之安全。
        (二)Thin-film 薄膜设备单位
        （1）机械方面：避免撞伤、高温烫伤、废液桶压伤、robot 夹伤、slit valve 夹伤、
        肌肉拉伤。
        （2）电力方面：避免高压电流触及身体。
        （3）维修保养方面：高温烫伤、粉尘吸入、重物压伤、强酸／强碱之灼伤、身
        体之擦伤、撞伤、夹伤、挫伤、parts 割伤、powder 避免吸入体内。
        （4）化学溶剂方面：强酸／强碱之波及和吸入。
        （5）特殊气体方面：防止毒气外泄之吸入。
        (三)CMP 研磨设备单位
        （1）机械方面：motor gear 转动时夹伤、DNS gate door 夹伤。
        （2）电力方面：高压电流触及。
        （3）维修方面：
        a. Mirra Cross 转动时须先确定无人。
        b. robot 移动时，须把door 关起来，避免撞人员。
        c. Wafer 破片之割伤。
        （4）保养方面：换Pad 时须使用适当工具，避免拔Pad 时工具撞到脸部。
        （5）化学药剂方面：
        a. 维修或养DNS TBC chamber 时要先flush，并带口罩及防酸手套，防止
        HF 腐蚀。
        b.处理W slueey 时，须带手套。
        (四)Vacuum 真空设备单位
        （1）机械方面：robot 之夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄、plasma 辐射伤害、slit
        valve 之夹伤，肌肉拉伤，高温烫伤。
        （2）电力方面：高压电流触及、X ray 辐射、强磁场。
        （3）维修方面：身体之撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 之割伤。
        （4）保养方面：高温烫伤、parts 之割伤、化学溶剂吸入性及喷溅之伤害。
        （5）特殊气体方面：防止毒气外泄之吸入。
        (五)Etch 干蚀刻设备单位
        （1）机械方面：机械手臂之夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄吸入性之伤害、plasma
        辐射污染伤害、gate door 之夹伤，高温烫伤。
        （2）电力方面：高电压、高电流之电击伤害。
        （3）维修方面：身体之撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 之割伤。
        （4）保养方面：parts 之割伤、化学溶剂吸入性之伤害。
        (六)湿蚀刻设备单位
        （1）机械方面：机械手臂之夹伤、撞伤、挫伤。
        （2）化学药剂方面：强酸／强碱之灼烫伤、化学品之触及、吸入性伤害。
        （3）电力方面：高电压、电流之电击伤害。
        （4）维修方面：撞伤、wafer 割伤、强酸／强碱之波及。
        (七)Photo 黄光设备单位
        （1）机械方面：robot、mail arm、AGV 之撞伤，KrF、化学品外泄、indexer 之
        夹伤，高温烫伤。
        （2）电力方面：高压电流电击。
        （3）维修方面：身体之撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、lamp、wafer 之割伤、高速旋
        转物飞出、液体溅出。
        （4）保养方面：紫外线、laser 曝露、有机溶剂吸入、皮肤接触。