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半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

标 准 号： SJ/T 11586-2016
替代情况：
发布单位： 中华人民共和国工业和信息化部
起草单位： 电子工业标准化研究院等
发布日期： 2016-01-15
实施日期： 2016-06-01
点 击 数：
更新日期： 2019年01月09日
内容摘要

本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。

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