本文件规定了CMOS集成电路抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。
本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计。
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