2抑制浪涌的原理
　　
　　从图2几种雷击波涌的频谱曲线图可以看出，浪涌波形的波前时间越短，则其所包含的频带越宽，频率越高。对电子设备电磁兼容来说，高频是辐射干扰的主要原因。可以发现，快速静电放电脉冲虽然只有50ns的波长，10kV电压脉冲，对于50Ω电阻的放电能量也只有E=100mJ。可是它的第一拐点频率达2.66MHz，第二拐点为48MHz，这么高的频率对于电子设备的正常运行是极大的挑战。
　　
　　幅值频谱分析表明许多浪涌呈现低频特征，即主要能量集中在频率较低的频段。但是由于非常低的能量就会引起集成电路的状态混乱或损坏，因此在浪涌波形中所含的高频能量，即使比例较低，也足以影响采用半导体技术的电路正常运行。事实上对采用集成电路技术的电子设备的损害，或误动大多都是由于浪涌能量造成的。通常认为集成电路装置的受损能量级为100mJ。
　　
　　低频能量可以通过硅二极管、压敏电阻、接地和控制环路面积进行消除，但高频能量必须通过滤波和屏蔽技术控制。
　　
　　分析显示大部分浪涌能量是低频。瞬态也存在高频问题，测试波形包含很大能量，在低频段很窄的频段内可含100mJ，从浪涌能量分析可以看出在显著高频区，残余能量也都大于100mJ。
　　
　　能量计算表明，对于快速上升时间的双指数曲线，大约50%以上的总能量存在于第一拐点以下，50%以下总能量存在于第一拐点频率以上，而大约1%的总能量包含在第二拐点频率以上。
　　
　　低压交流电源线上的浪涌是与过电压有联系的，但又不等同于过电压，因为浪涌既包括电压的瞬变，又包括电流的瞬变。同样道理抑制浪涌也不等同于过电压保护。过电压保护是线路和电气设备绝缘完好性的保障，而抑制浪涌是低压系统和电子设备可靠运行，及电磁兼容的保障。
　　
　　常用的浪涌抑制器件为气体放电管、氧化锌压敏电阻、瞬态电压抑制器、硅二极管等。它们工作原理不同，但它们有相似的伏安特性，即两端电压低于规定电压时，通过电流很小，而当两端电压高于规定电压后，通过电流会呈指数规律增长。这一伏安特性能使其同时满足抑制浪涌泻流和限幅的要求，因而也就成为抑制浪涌的主导器件。尤其是氧化锌压敏电阻，不仅限幅电压可以很低，导通电流也可以很大，价格又便宜，已经成为电气设计师首选的浪涌抑制器件。
　　
　　最近开发研究的各种纳秒级瞬态抑制器件，以及从前实际应用的大电流吸收能力的开关管，使得研制电力通信接口浪涌抑制器成为可能。目前浪涌抑制器根据使用场合不同具有不同的限流水平和泄流能力。浪涌抑制器的分类大致如下：
　　
　　（1）限幅型：氧化锌压敏电阻具有较高电能吸收能力和纳秒级响应时间，具有低限幅和快速反应能力的TVSs等。工作原理是稳压。这种原理工作的器件泻流能力较差，功率较小。
　　
　　（2）开关型：主要指气体放电管，它响应较慢，瞬态的发生可能快于它的响应时间。主要是根据短路原理把浪涌通过保护接地线返回，而防止进入通信设备。这种原理工作的器件续流问题，影响了其使用范围。
　　
　　（3）混合型：这主要是指MOV或TVS与开关管的联合使用,这种类型综合利用大功率器件与快速响应器件的优势，具有广阔的使用和开发前景，但是由于不具备频率选择功能，而不适应通信接口中使用。
　　
　　（4）正弦波跟踪型：这是一种新技术，它能跟踪交流正弦波，对通过其它保护装置上的微小尖峰和瞬态做出响应。它只对瞬态干扰进行分析而做出响应，是其中包括数据、信号、电话等通信中，实现浪涌抑制的理想选择，也是目前国内外有关专家努力研究的热点。